Флэш-память – разновидность  энергонезависимой перезаписывае­мой памяти на электронных микросхемах. Она впервые анон­сирована в середине 1980-х годов корпорацией Toshiba, а затем и корпорация Intel выпустила свой вариант флэш-памяти, после чего начался интенсивный процесс развития этого вида памяти.

       В настоящее время выпускается два основных типа флэш-памяти: NOR (логика ячеек NOT OR) и NAND (ло­гика ячеек NOT AND). В качестве элементарных запоминающих ячеек во флэш-памяти используются транзисторы (один или два), которые подключены к разрядным шинам в памяти типа NOR параллельно, а в  памяти типа NAND – последовательно. Идея хранения данных основана на том, что такой транзистор способен со­хранять заряд, соответственно позволяя определить его на­личие или отсутствие и таким образом кодировать двоичную информацию. При записи заряд помещается на управляющий затвор транзистора (посредством переноса электронов или с использовани­ем квантово-механических эффектов туннелирования – это зависит от типа памяти). Слово «флэш» (flash) в названии памяти скорее всего возникло из-за того, что операция записи требует подачи на сток и управляю­щий затвор транзистора высокого напряжения (отсюда flash, которое можно перевести как «молния», «вспышка»). Электроны с энергией, достаточной для преодоления потен­циального барьера, создаваемого пленкой диэлектрика, пе­реносятся на затвор, тем самым изменяя вольт-амперные характеристики транзистора. Аналогично, при сти­рании высокое напряжение подается на исток.